IMX9T110 Альтернативные части: 2SD2114KT146W ,2SD2114KT146V

IMX9T110ROHM Semiconductor

  • IMX9T110ROHM Semiconductor
  • 2SD2114KT146WROHM Semiconductor
  • 2SD2114KT146VROHM Semiconductor

В наличии: 10670

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.415659 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.052514 ₽

    60.58 ₽

  • 100

    5.709918 ₽

    571.02 ₽

  • 500

    5.386717 ₽

    2,693.41 ₽

  • 1000

    5.081799 ₽

    5,081.87 ₽

Цена за единицу: 6.415659 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
Срок поставки от производителя
17 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
6
-
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
-
20V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
560
-
820
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2004
2004
Код JESD-609
e1
e1
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
TIN/TIN COPPER
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
20V
-
20V
Максимальная потеря мощности
300mW
-
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
500mA
-
500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
*MX9
2SD2114
2SD2114
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN
-
-
Конфигурация элемента
Dual
-
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
350MHz
-
350MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
-
20V
Максимальный ток сбора
500mA
-
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
560 @ 10mA 3V
820 @ 10mA 3V
820 @ 10mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
500nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
350MHz
350MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
-
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
25V
-
25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
-
12V
Прямоходящий ток коллектора
500mA
-
500mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
0.4 V
0.4 V
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Мощность - Макс
-
200mW
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
20V
-
Частота - Переход
-
350MHz
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.3W
-
Покрытие контактов
-
-
Copper, Silver, Tin
Завершение
-
-
SMD/SMT
Распад мощности
-
-
200mW