IMX9T110 Альтернативные части: 2SD2114KT146V ,IMH23T110

IMX9T110ROHM Semiconductor

  • IMX9T110ROHM Semiconductor
  • 2SD2114KT146VROHM Semiconductor
  • IMH23T110ROHM Semiconductor

В наличии: 10670

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.415659 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.052514 ₽

    60.58 ₽

  • 100

    5.709918 ₽

    571.02 ₽

  • 500

    5.386717 ₽

    2,693.41 ₽

  • 1000

    5.081799 ₽

    5,081.87 ₽

Цена за единицу: 6.415659 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Срок поставки от производителя
17 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-74, SOT-457
Количество контактов
6
3
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
20V
Количество элементов
2
1
2
Минимальная частота работы в герцах
560
820
820
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2004
2004
Код JESD-609
e1
-
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
TIN/TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
20V
20V
-
Максимальная потеря мощности
300mW
200mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
500mA
500mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
*MX9
2SD2114
*MH23
Число контактов
6
3
6
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Single
Dual
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
350MHz
350MHz
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
20V
20V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
560 @ 10mA 3V
820 @ 10mA 3V
820 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
500nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
150mV @ 2.5mA, 50mA
Частота перехода
350MHz
350MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
20V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
25V
25V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
12V
12V
Прямоходящий ток коллектора
500mA
500mA
-
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
0.4 V
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Распад мощности
-
200mW
300mW
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Частота - Переход
-
-
150MHz
База (R1)
-
-
4.7k Ω
Высота
-
-
1.2mm
Длина
-
-
3mm
Ширина
-
-
1.8mm