IMX1T110 Альтернативные части: DMC564040R ,FMW1T148

IMX1T110ROHM Semiconductor

  • IMX1T110ROHM Semiconductor
  • DMC564040RPanasonic Electronic Components
  • FMW1T148ROHM Semiconductor

В наличии: 63936

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.696429 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.373984 ₽

    53.71 ₽

  • 100

    5.069808 ₽

    507.01 ₽

  • 500

    4.782830 ₽

    2,391.48 ₽

  • 1000

    4.512102 ₽

    4,512.09 ₽

Цена за единицу: 5.696429 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
TRANS 2NPN 50V 0.15A 5SMT
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
6-SMD, Flat Leads
SC-74A, SOT-753
Количество контактов
6
6
5
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
120
80
120
Рабочая температура
150°C TJ
-
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2001
1998
Код JESD-609
e1
e6
-
Безоловая кодировка
yes
-
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
5
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
-
Максимальная потеря мощности
300mW
150mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
-
Моментальный ток
150mA
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
*MX1
DMC56404
FMW1
Число контактов
6
-
5
Выводной напряжение
50V
-
-
Максимальный выходной ток
150mA
-
-
Направленность
NPN
NPN
NPN
Каналов количество
2
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Максимальная выходная напряжение
50V
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
180MHz
-
180MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
100mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
80 @ 5mA 10V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 500μA, 10mA
400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
180MHz
-
-
Частота перехода
180MHz
-
180MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
50V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
-
7V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
100mA
150mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
-
0.4 V
Высота
1.1mm
800μm
-
Длина
2.9mm
2mm
-
Ширина
1.6mm
1.25mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Максимальная рабочая температура
-
85°C
-
Минимальная температура работы
-
-40°C
-
Дополнительная Характеристика
-
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
-
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Распад мощности
-
150mW
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
База (R1)
-
10k Ω
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47k Ω
-