IMX1T110 Альтернативные части: DMC564040R

IMX1T110ROHM Semiconductor

В наличии: 63936

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.696429 ₽
5.63 ₽
10
5.373984 ₽
53.71 ₽
100
5.069808 ₽
507.01 ₽
500
4.782830 ₽
2,391.48 ₽
1000
4.512102 ₽
4,512.09 ₽

Цена за единицу: 5.696429 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIMX1T110	иDMC564040R
Производитель:	ROHM Semiconductor	Panasonic Electronic Components
Описание:	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
Срок поставки от производителя	13 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	6-SMD, Flat Leads
Количество контактов	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	80
Рабочая температура	150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2001
Код JESD-609	e1	e6
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	-
Максимальная потеря мощности	300mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	150mA	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	NOT SPECIFIED
Основной номер части	*MX1	DMC56404
Число контактов	6	-
Выводной напряжение	50V	-
Максимальный выходной ток	150mA	-
Направленность	NPN	NPN
Каналов количество	2	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Максимальная выходная напряжение	50V	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	180MHz	-
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA	250mV @ 500μA, 10mA
Максимальная частота	180MHz	-
Частота перехода	180MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	-
Прямоходящий ток коллектора	150mA	100mA
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	-
Высота	1.1mm	800μm
Длина	2.9mm	2mm
Ширина	1.6mm	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Максимальная рабочая температура	-	85°C
Минимальная температура работы	-	-40°C
Дополнительная Характеристика	-	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код соответствия REACH	-	unknown
Распад мощности	-	150mW
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
База (R1)	-	10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	47k Ω

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMW1T148	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74A, SOT-753	TRANS 2NPN 50V 0.15A 5SMT	Для сравнения
2SC2412KT146R	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-346	Для сравнения
2SC2412KT146Q	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-346	Для сравнения
DMC564040R	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-SMD, Flat Leads	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	Для сравнения