IMX1T110 Альтернативные части: 2SC2412KT146Q ,DMC564040R

IMX1T110ROHM Semiconductor

  • IMX1T110ROHM Semiconductor
  • 2SC2412KT146QROHM Semiconductor
  • DMC564040RPanasonic Electronic Components

В наличии: 63936

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.696429 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.373984 ₽

    53.71 ₽

  • 100

    5.069808 ₽

    507.01 ₽

  • 500

    4.782830 ₽

    2,391.48 ₽

  • 1000

    4.512102 ₽

    4,512.09 ₽

Цена за единицу: 5.696429 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-346
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-SMD, Flat Leads
Количество контактов
6
3
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
2
Минимальная частота работы в герцах
120
120
80
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2004
2001
Код JESD-609
e1
e1
e6
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
6
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
-
Максимальная потеря мощности
300mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
150mA
150mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
NOT SPECIFIED
Основной номер части
*MX1
2SC2412
DMC56404
Число контактов
6
3
-
Выводной напряжение
50V
-
-
Максимальный выходной ток
150mA
-
-
Направленность
NPN
-
NPN
Каналов количество
2
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Dual
Максимальная выходная напряжение
50V
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
180MHz
180MHz
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
400mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 500μA, 10mA
Максимальная частота
180MHz
180MHz
-
Частота перехода
180MHz
180MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
7V
-
Прямоходящий ток коллектора
150mA
150mA
100mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
0.4 V
-
Высота
1.1mm
1.1mm
800μm
Длина
2.9mm
2.9mm
2mm
Ширина
1.6mm
1.6mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Максимальная рабочая температура
-
-
85°C
Минимальная температура работы
-
-
-40°C
Дополнительная Характеристика
-
-
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код соответствия REACH
-
-
unknown
Распад мощности
-
-
150mW
Максимальная температура перехода (Тj)
-
-
150°C
База (R1)
-
-
10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
47k Ω