IMH5AT108 Альтернативные части: IMH1AT110 ,IMD9AT108

IMH5AT108ROHM Semiconductor

В наличии: 2977

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
61.404835 ₽
61.40 ₽
10
57.929135 ₽
579.26 ₽
100
54.650110 ₽
5,464.97 ₽
500
51.556648 ₽
25,778.30 ₽
1000
48.638393 ₽
48,638.46 ₽

Цена за единицу: 61.404835 ₽

Итоговая цена: 61.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIMH5AT108	иIMH1AT110	иIMD9AT108
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Срок поставки от производителя	10 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Количество контактов	6	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	56	56	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2004	2010
Код JESD-609	e1	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код ТН ВЭД	8541.21.00.95	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	-
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	30mA	30mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	*MH5	*MH1	*MD9
Направленность	NPN	NPN	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	300mW	300mW	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	56 @ 5mA 5V	56 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	22k Ω	22k Ω	10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22k Ω	22k Ω	47k Ω
Максимальное напряжение на выходе	0.3 V	0.3 V	0.3 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	-
Число контактов	-	6	6
Частота перехода	-	250MHz	250MHz
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	100mA
Максимальный выходной ток	-	-	100mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	-	5V
Высота	-	-	1.2mm
Длина	-	-	3mm
Ширина	-	-	1.8mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IMH1AT110	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	Для сравнения
IMD9AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	Для сравнения
IMD2AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	Для сравнения