Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IMH5AT108 Альтернативные части: IMD9AT108
IMH5AT108ROHM Semiconductor
В наличии: 2977
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
61.404835 ₽
61.40 ₽
10
57.929135 ₽
579.26 ₽
100
54.650110 ₽
5,464.97 ₽
500
51.556648 ₽
25,778.30 ₽
1000
48.638393 ₽
48,638.46 ₽
Цена за единицу: 61.404835 ₽
Итоговая цена: 61.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 56 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2010 |
Код JESD-609 | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN SILVER COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 30mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MH5 | *MD9 |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | 300mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 5mA 5V | 68 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 22k Ω | 10k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 47k Ω |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Число контактов | - | 6 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Частота перехода | - | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Высота | - | 1.2mm |
Длина | - | 3mm |
Ширина | - | 1.8mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMH1AT110 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Для сравнения |
| IMD9AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Для сравнения |
| IMD2AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Для сравнения |