Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HN2A01FU-Y(TE85L,F Альтернативные части: UMZ1NTR ,DCX114EU-7-F
HN2A01FU-Y(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 2273
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 100 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2000 | 2012 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW | 200mW |
Направленность | PNP | PNP, NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Мощность - Макс | 200mW | - | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 180MHz | - |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | NPN, PNP | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 120 @ 1mA 6V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 60V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -6V | 5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 13 Weeks | 19 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 2 | 2 |
Код JESD-609 | - | e2 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Тип | - | General Purpose | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn/Cu) | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | 150mA | 100mA |
Основной номер части | - | *MZ1 | DCX114 |
Число контактов | - | 6 | 6 |
Распад мощности | - | 150mW | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | - |
Максимальная частота | - | 100MHz | - |
Частота перехода | - | 180MHz | 250MHz |
Частота - Переход | - | 180MHz 140MHz | 250MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | -150mA | 100mA |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.4 V | - |
Высота | - | 900μm | 1mm |
Длина | - | 2mm | 2.2mm |
Ширина | - | 1.25mm | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Вес | - | - | 6.010099mg |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 50V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Каналов количество | - | - | 2 |
База (R1) | - | - | 10k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | - | 10k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Для сравнения |
 | UMT2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| BC856AS-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 | Для сравнения |
| UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |