Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HN2A01FU-Y(TE85L,F Альтернативные части: BC856AS-7
HN2A01FU-Y(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 2273
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 65V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 125 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2007 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Мощность - Макс | 200mW | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 100MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 65V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 125 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 15nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 650mV @ 5mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 65V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 15 Weeks |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Частота | - | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Основной номер части | - | BC856AS |
Число контактов | - | 6 |
Распад мощности | - | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 100MHz |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2.2mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Для сравнения |
 | UMT2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| BC856AS-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 | Для сравнения |
| UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |