HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 13539
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.986264 ₽
15.93 ₽
10
15.081387 ₽
150.82 ₽
100
14.227720 ₽
1,422.80 ₽
500
13.422376 ₽
6,711.13 ₽
1000
12.662624 ₽
12,662.64 ₽
Цена за единицу: 15.986264 ₽
Итоговая цена: 15.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-563, SOT-666 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 100mW |
Направленность | PNP | PNP |
Мощность - Макс | 200mW | 100mW |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 80MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 200 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | -50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V |
Прямоходящий ток коллектора | -150mA | -150mA |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2mm | - |
Ширина | 1.25mm | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Код соответствия REACH | - | unknown |