HN1A01FU-Y,LF Альтернативные части: HN1A01F-GR(TE85L,F

HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 13539

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
15.986264 ₽
15.93 ₽
10
15.081387 ₽
150.82 ₽
100
14.227720 ₽
1,422.80 ₽
500
13.422376 ₽
6,711.13 ₽
1000
12.662624 ₽
12,662.64 ₽

Цена за единицу: 15.986264 ₽

Итоговая цена: 15.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иHN1A01FU-Y,LF	иHN1A01F-GR(TE85L,F
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R	Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Срок поставки от производителя	12 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-74, SOT-457
Количество контактов	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Минимальная частота работы в герцах	120	120
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014
Состояние изделия	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	200mW	300mW
Направленность	PNP	PNP
Мощность - Макс	200mW	300mW
Продуктивность полосы частот	80MHz	80MHz
Тип транзистора	2 PNP (Dual)	2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA	300mV @ 10mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	-150mA	-
Высота	900μm	-
Длина	2mm	-
Ширина	1.25mm	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Конфигурация элемента	-	Dual

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HN1A01FE-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-563, SOT-666	Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin ES Embossed T/R	Для сравнения
HN1A01F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A	Для сравнения
HN1A01FE-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-563, SOT-666	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	Для сравнения
2SA1162YT1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 50V 0.15A SC-59	Для сравнения