Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HN1A01FE-Y,LF Альтернативные части: HN2A01FU-GR(TE85LF ,HN1A01F-GR(TE85L,F
HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 39
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.626923 ₽
5.63 ₽
10
5.308420 ₽
53.02 ₽
100
5.007940 ₽
500.82 ₽
500
4.724478 ₽
2,362.23 ₽
1000
4.457047 ₽
4,457.01 ₽
Цена за единицу: 5.626923 ₽
Итоговая цена: 5.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin ES Embossed T/R | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SSOP T/R | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 4 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Поставщик упаковки устройства | ES6 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 150mA | - | - |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 125°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW | 300mW |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Мощность - Макс | 100mW | 200mW | 300mW |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 80MHz | 80MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 200 @ 2mA 6V | 200 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 80MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | -50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | -150mA | - | - |
Высота | 550μm | - | - |
Длина | 1.6mm | - | - |
Ширина | 1.2mm | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Конфигурация элемента | - | Dual | Dual |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2A01FU-GR(TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SSOP T/R | Для сравнения |
 | HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | Для сравнения |
 | HN1A01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R | Для сравнения |
 | 2SA1162YT1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | Для сравнения |