HN1A01FE-Y,LF Альтернативные части: 2SA1162YT1

HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • 2SA1162YT1ON Semiconductor

В наличии: 39

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.626923 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.308420 ₽

    53.02 ₽

  • 100

    5.007940 ₽

    500.82 ₽

  • 500

    4.724478 ₽

    2,362.23 ₽

  • 1000

    4.457047 ₽

    4,457.01 ₽

Цена за единицу: 5.626923 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin ES Embossed T/R
TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Срок поставки от производителя
12 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-563, SOT-666
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
6
3
Поставщик упаковки устройства
ES6
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
150mA
150mA
Минимальная частота работы в герцах
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2009
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Максимальная потеря мощности
100mW
200mW
Направленность
PNP
-
Мощность - Макс
100mW
-
Продуктивность полосы частот
80MHz
80MHz
Тип транзистора
2 PNP (Dual)
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 2mA 6V
120 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
300mV @ 10mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
50V
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
Частота - Переход
80MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
7V
Прямоходящий ток коллектора
-150mA
-
Высота
550μm
-
Длина
1.6mm
-
Ширина
1.2mm
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
Non-RoHS Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
1
Код JESD-609
-
e0
Безоловая кодировка
-
no
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
240
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Моментальный ток
-
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
30
Основной номер части
-
2SA1162
Число контактов
-
3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Конфигурация элемента
-
Single
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
-
PNP
Частота перехода
-
80MHz
Без свинца
-
Contains Lead