HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 39
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.626923 ₽
5.63 ₽
10
5.308420 ₽
53.02 ₽
100
5.007940 ₽
500.82 ₽
500
4.724478 ₽
2,362.23 ₽
1000
4.457047 ₽
4,457.01 ₽
Цена за единицу: 5.626923 ₽
Итоговая цена: 5.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin ES Embossed T/R | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 6 | 6 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | ES6 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 150mA | - | 150mA |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 125°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 | 2009 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW | 200mW |
Направленность | PNP | PNP | - |
Мощность - Макс | 100mW | 200mW | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 80MHz | 80MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 120 @ 2mA 6V | 120 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | - |
Частота - Переход | 80MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | -50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V | 7V |
Прямоходящий ток коллектора | -150mA | -150mA | - |
Высота | 550μm | 900μm | - |
Длина | 1.6mm | 2mm | - |
Ширина | 1.2mm | 1.25mm | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | Non-RoHS Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Количество элементов | - | - | 1 |
Код JESD-609 | - | - | e0 |
Безоловая кодировка | - | - | no |
Количество выводов | - | - | 3 |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -50V |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 240 |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Моментальный ток | - | - | -150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 30 |
Основной номер части | - | - | 2SA1162 |
Число контактов | - | - | 3 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Применение транзистора | - | - | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | - | - | PNP |
Частота перехода | - | - | 80MHz |
Без свинца | - | - | Contains Lead |