FZT790A Альтернативные части: NJT4030PT3G

FZT790AON Semiconductor

В наличии: 1771

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.567033 ₽
57.55 ₽
10
54.308544 ₽
543.13 ₽
100
51.234464 ₽
5,123.49 ₽
500
48.334437 ₽
24,167.17 ₽
1000
45.598462 ₽
45,598.49 ₽

Цена за единицу: 57.567033 ₽

Итоговая цена: 57.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFZT790A	иNJT4030PT3G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS PNP 40V 3A SOT223	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	8 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	3	4
Вес	188mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	300	220
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2002	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	-
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	3A	-
Частота	100MHz	160MHz
Основной номер части	FZT790A	NJT4030
Код JESD-30	R-PDSO-G4	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Продуктивность полосы частот	100MHz	160MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V
Максимальный ток сбора	3A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 10mA 2V	200 @ 1A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	750mV @ 50mA, 2A	500mV @ 300mA, 3A
Частота перехода	100MHz	160MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-50V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	6V
Высота	1.6mm	1.65mm
Длина	6.5mm	6.7mm
Ширина	3.5mm	3.7mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40
Число контактов	-	4
Применение транзистора	-	AMPLIFIER

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BCP51TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223-4	Для сравнения
NJT4030PT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Для сравнения
DJT4030P-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Для сравнения
NJT4030PT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	Для сравнения