FZT790A Альтернативные части: DJT4030P-13

FZT790AON Semiconductor

  • FZT790AON Semiconductor
  • DJT4030P-13Diodes Incorporated

В наличии: 1771

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    57.567033 ₽

    57.55 ₽

  • 10

    54.308544 ₽

    543.13 ₽

  • 100

    51.234464 ₽

    5,123.49 ₽

  • 500

    48.334437 ₽

    24,167.17 ₽

  • 1000

    45.598462 ₽

    45,598.49 ₽

Цена за единицу: 57.567033 ₽

Итоговая цена: 57.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 40V 3A SOT223
DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
-
Срок поставки от производителя
10 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-261-4, TO-261AA
TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов
3
3
Вес
188mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
300
220
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2009
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
4
4
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
Максимальная потеря мощности
2W
1.2W
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
3A
-
Частота
100MHz
150MHz
Основной номер части
FZT790A
-
Код JESD-30
R-PDSO-G4
R-PDSO-G4
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
2W
1.2W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Продуктивность полосы частот
100MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
3A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 10mA 2V
200 @ 1A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 2A
500mV @ 300mA, 3A
Частота перехода
100MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-50V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-6V
Высота
1.6mm
1.6mm
Длина
6.5mm
6.5mm
Ширина
3.5mm
3.5mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
4
Применение транзистора
-
SWITCHING
Прямоходящий ток коллектора
-
-3A