FOD817C300 Альтернативные части: TCET1109G ,TLP781F(D4-GB,F)

FOD817C300ON Semiconductor

В наличии: 2320

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
19.491758 ₽
19.51 ₽
10
18.388448 ₽
183.93 ₽
100
17.347596 ₽
1,734.75 ₽
500
16.365659 ₽
8,182.83 ₽
1000
15.439299 ₽
15,439.29 ₽

Цена за единицу: 19.491758 ₽

Итоговая цена: 19.51 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFOD817C300	иTCET1109G	иTLP781F(D4-GB,F)
Производитель:	ON Semiconductor	Vishay Semiconductor Opto Division	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Black Box	Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 200-400%	Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-	-
Срок поставки от производителя	7 Weeks	14 Weeks	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	4-DIP (0.300, 7.62mm)	4-DIP (0.400, 10.16mm)	4-DIP (0.400, 10.16mm)
Количество контактов	4	4	4
Вес	408mg	-	-
Коэффициент передачи тока-мин	200% @ 5mA	200% @ 5mA	100% @ 5mA
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~110°C	-40°C~100°C	-55°C~110°C
Пакетирование	Tube	Tube	-
Опубликовано	2009	2006	2008
Код JESD-609	e3	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	-	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Дополнительная Характеристика	UL APPROVED, VDE APPROVED	-	-
Максимальная потеря мощности	200mW	265mW	250mW
Токовая изоляция	5000Vrms	5000Vrms	5000Vrms
Выводной напряжение	70V	70V	80V
Выводной тип	Transistor	Transistor	Transistor
Конфигурация	SINGLE	-	-
Распад мощности	200mW	265mW	250mW
Напряжение - прямое (Vf) (Тип)	1.2V	1.25V	1.15V
Входной тип	DC	DC	DC
Напряжённая мощность	50mA	60mA	25mA
Максимальная выходная напряжение	70V	70V	-
Выходный ток на канал	50mA	50mA	-
Время подъема	18μs	-	2μs
Время падения (тип)	18 μs	-	3 μs
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	200mV	70V	80V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA	50mA
Время подъёма / падения (тип)	4μs 3μs	3μs 4.7μs	2μs 3μs
Обратное пробивное напряжение	6V	6V	5V
Максимальный входной ток	50mA	60mA	60mA
Ток входа	50mA	50mA	16mA
Коэффициент передачи тока (макс)	400% @ 5mA	400% @ 5mA	600% @ 5mA
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	4-DIP	-
Максимальная рабочая температура	-	100°C	-
Минимальная температура работы	-	-40°C	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	1.25V	-
Каналов количество	-	1	1
Напряжение включения	-	1.6V	-
Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.)	-	60mA	60mA
Время включения / выключения (тип)	-	6μs, 5μs	3μs, 3μs
Максимальная насыщенность коллектора	-	300mV	-

Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
TCET1109G	Vishay Semiconductor Opto Division	Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход	4-DIP (0.400, 10.16mm)	Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 200-400%	Для сравнения
TLP781F(D4-GB,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход	4-DIP (0.400, 10.16mm)	Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP	Для сравнения
TCET1204	Vishay Semiconductor Opto Division	Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход	4-DIP (0.300, 7.62mm)	Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin DIL	Для сравнения
TCET1600	Vishay Semiconductor Opto Division	Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход	4-DIP (0.300, 7.62mm)	OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP	Для сравнения