Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FOD817C300 Альтернативные части: TCET1109G
FOD817C300ON Semiconductor
В наличии: 2320
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.491758 ₽
19.51 ₽
10
18.388448 ₽
183.93 ₽
100
17.347596 ₽
1,734.75 ₽
500
16.365659 ₽
8,182.83 ₽
1000
15.439299 ₽
15,439.29 ₽
Цена за единицу: 19.491758 ₽
Итоговая цена: 19.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Black Box | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 200-400% |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | 4-DIP (0.400, 10.16mm) |
Количество контактов | 4 | 4 |
Вес | 408mg | - |
Коэффициент передачи тока-мин | 200% @ 5mA | 200% @ 5mA |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~110°C | -40°C~100°C |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2009 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | UL APPROVED, VDE APPROVED | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 265mW |
Токовая изоляция | 5000Vrms | 5000Vrms |
Выводной напряжение | 70V | 70V |
Выводной тип | Transistor | Transistor |
Конфигурация | SINGLE | - |
Распад мощности | 200mW | 265mW |
Напряжение - прямое (Vf) (Тип) | 1.2V | 1.25V |
Входной тип | DC | DC |
Напряжённая мощность | 50mA | 60mA |
Максимальная выходная напряжение | 70V | 70V |
Выходный ток на канал | 50mA | 50mA |
Время подъема | 18μs | - |
Время падения (тип) | 18 μs | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 200mV | 70V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Время подъёма / падения (тип) | 4μs 3μs | 3μs 4.7μs |
Обратное пробивное напряжение | 6V | 6V |
Максимальный входной ток | 50mA | 60mA |
Ток входа | 50mA | 50mA |
Коэффициент передачи тока (макс) | 400% @ 5mA | 400% @ 5mA |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | 4-DIP |
Максимальная рабочая температура | - | 100°C |
Минимальная температура работы | - | -40°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 1.25V |
Каналов количество | - | 1 |
Напряжение включения | - | 1.6V |
Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.) | - | 60mA |
Время включения / выключения (тип) | - | 6μs, 5μs |
Максимальная насыщенность коллектора | - | 300mV |
Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCET1109G | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 4-DIP (0.400, 10.16mm) | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 200-400% | Для сравнения |
 | TLP781F(D4-GB,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 4-DIP (0.400, 10.16mm) | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP | Для сравнения |
 | TCET1204 | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin DIL | Для сравнения |
 | TCET1600 | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP | Для сравнения |