FMY1AT148 Альтернативные части: IMX3T108 ,IMT1AT110

FMY1AT148ROHM Semiconductor

В наличии: 48000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
6.270604 ₽
6.32 ₽
10
5.915659 ₽
59.20 ₽
100
5.580810 ₽
558.10 ₽
500
5.264918 ₽
2,632.42 ₽
1000
4.966909 ₽
4,966.90 ₽

Цена за единицу: 6.270604 ₽

Итоговая цена: 6.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMY1AT148	иIMX3T108	иIMT1AT110
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Срок поставки от производителя	13 Weeks	-	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74A, SOT-753	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Количество контактов	5	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2004	2004	1996
Код JESD-609	e1	e1	-
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Not For New Designs	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN SILVER COPPER	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	-50V
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	150mA	150mA	-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	*MY1	*MX3	*MT1
Число контактов	5	6	6
Направленность	NPN, PNP	NPN	PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	300mW	300mW	300mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	180MHz	180MHz	140MHz
Тип транзистора	NPN, PNP (Emitter Coupled)	2 NPN (Dual)	2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	400mV	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA	500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	180MHz	180MHz	140MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	180MHz 140MHz	-	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V	-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	7V	-6V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	150mA	-
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	0.4 V	0.5 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Максимальная частота	-	-	100MHz
Высота	-	-	1.1mm
Длина	-	-	2.9mm
Ширина	-	-	1.6mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IMX3T108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
IMT1AT110	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
IMZ1AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения