Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMY1AT148 Альтернативные части: IMT1AT110
FMY1AT148ROHM Semiconductor
В наличии: 48000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.270604 ₽
6.32 ₽
10
5.915659 ₽
59.20 ₽
100
5.580810 ₽
558.10 ₽
500
5.264918 ₽
2,632.42 ₽
1000
4.966909 ₽
4,966.90 ₽
Цена за единицу: 6.270604 ₽
Итоговая цена: 6.32 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74A, SOT-753 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 5 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2004 | 1996 |
Код JESD-609 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 150mA | -150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MY1 | *MT1 |
Число контактов | 5 | 6 |
Направленность | NPN, PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | 300mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 180MHz | 140MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP (Emitter Coupled) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 180MHz | 140MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 180MHz 140MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | -60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | -6V |
Прямоходящий ток коллектора | 150mA | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.4 V | 0.5 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Максимальная частота | - | 100MHz |
Высота | - | 1.1mm |
Длина | - | 2.9mm |
Ширина | - | 1.6mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMX3T108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |
| IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |
| IMZ1AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |