FMMT634TA Альтернативные части: FJV1845PMTF ,FMMT493TA

FMMT634TADiodes Incorporated

  • FMMT634TADiodes Incorporated
  • FJV1845PMTFON Semiconductor
  • FMMT493TADiodes Incorporated

В наличии: 4

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    14.502473 ₽

    14.56 ₽

  • 10

    13.681580 ₽

    136.81 ₽

  • 100

    12.907143 ₽

    1,290.66 ₽

  • 500

    12.176552 ₽

    6,088.32 ₽

  • 1000

    11.487321 ₽

    11,487.36 ₽

Цена за единицу: 14.502473 ₽

Итоговая цена: 14.56 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
13 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
115V
120V
100V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2006
2002
2012
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn) - annealed
Ток постоянного напряжения - номинальный
100V
120V
60V
Максимальная потеря мощности
625mW
300mW
500mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
900mA
50mA
1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
40
Основной номер части
FMMT634
FJV1845
FMMT493
Число контактов
3
-
-
Направленность
NPN
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
300mW
500mW
Тип транзистора
NPN - Darlington
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
120V
100V
Максимальный ток сбора
900mA
50mA
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
200 @ 1mA 6V
100 @ 250mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
50nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
960mV @ 5mA, 1A
300mV @ 1mA, 10mA
600mV @ 100mA, 1A
Максимальное напряжение разрушения
100V
120V
100V
Частота - Переход
140MHz
110MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
120V
120V
120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
5V
5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Прямоходящий ток коллектора
900mA
-
1A
Высота
1.1mm
1.04mm
1.1mm
Длина
3.05mm
2.9mm
3mm
Ширина
1.4mm
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
-
Минимальная частота работы в герцах
-
200
100
Частота
-
100MHz
150MHz
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Продуктивность полосы частот
-
100MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
110MHz
150MHz
Завершение
-
-
SMD/SMT
Напряжение
-
-
100V
Текущий
-
-
1A
Применение транзистора
-
-
SWITCHING