Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMMT634TA Альтернативные части: FJV1845PMTF
FMMT634TADiodes Incorporated
В наличии: 4
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
14.502473 ₽
14.56 ₽
10
13.681580 ₽
136.81 ₽
100
12.907143 ₽
1,290.66 ₽
500
12.176552 ₽
6,088.32 ₽
1000
11.487321 ₽
11,487.36 ₽
Цена за единицу: 14.502473 ₽
Итоговая цена: 14.56 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 115V | 120V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 100V | 120V |
Максимальная потеря мощности | 625mW | 300mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | 900mA | 50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | FMMT634 | FJV1845 |
Число контактов | 3 | - |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 625mW | 300mW |
Тип транзистора | NPN - Darlington | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100V | 120V |
Максимальный ток сбора | 900mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20000 @ 100mA 5V | 200 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 960mV @ 5mA, 1A | 300mV @ 1mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | 120V |
Частота - Переход | 140MHz | 110MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 120V | 120V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12V | 5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Прямоходящий ток коллектора | 900mA | - |
Высота | 1.1mm | 1.04mm |
Длина | 3.05mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LIFETIME (Last Updated: 2 days ago) |
Минимальная частота работы в герцах | - | 200 |
Частота | - | 100MHz |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Частота перехода | - | 110MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FMMT493TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 100V 1A SOT23-3 | Для сравнения |
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FMMT624TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r | Для сравнения |
 | FJV1845PMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Для сравнения |