FMMT494TA Альтернативные части: FMMT495TA ,FJV1845PMTF

FMMT494TADiodes Incorporated

В наличии: 1158

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.756731 ₽
10.71 ₽
10
10.147857 ₽
101.51 ₽
100
9.573448 ₽
957.28 ₽
500
9.031552 ₽
4,515.80 ₽
1000
8.520343 ₽
8,520.33 ₽

Цена за единицу: 10.756731 ₽

Итоговая цена: 10.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMMT494TA	иFMMT495TA	иFJV1845PMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	TRANS NPN 150V 1A SOT23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	120V	150V	120V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2006	2002
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	120V	150V	120V
Максимальная потеря мощности	500mW	500mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	100mA	1A	50mA
Частота	100MHz	100MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	FMMT494	FMMT495	FJV1845
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	500mW	500mW	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	120V	150V	120V
Максимальный ток сбора	1A	1A	50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 250mA 10V	10 @ 250mA 10V	200 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	100nA	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 50mA, 500mA	300mV @ 50mA, 500mA	300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	110MHz
Максимальное напряжение разрушения	120V	150V	120V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	140V	170V	120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	7V	5V
Прямоходящий ток коллектора	1A	1A	-
Высота	1.1mm	1.1mm	1.04mm
Длина	3mm	3mm	2.9mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	100	200
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Состояние жизненного цикла	-	-	LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Частота - Переход	-	-	110MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT455TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 140V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT495TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 150V 1A SOT23-3	Для сравнения
FJV1845PMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения