FMMT494TADiodes Incorporated
В наличии: 1158
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.756731 ₽
10.71 ₽
10
10.147857 ₽
101.51 ₽
100
9.573448 ₽
957.28 ₽
500
9.031552 ₽
4,515.80 ₽
1000
8.520343 ₽
8,520.33 ₽
Цена за единицу: 10.756731 ₽
Итоговая цена: 10.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 120V 1A SOT23-3 | TRANS NPN 140V 1A SOT23-3 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 120V | 140V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2006 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 120V | 140V |
Максимальная потеря мощности | 500mW | 500mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 2A |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | FMMT494 | FMMT455 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 500mW | 500mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 120V | 140V |
Максимальный ток сбора | 1A | 1A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 250mA 10V | 100 @ 150mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 15mA, 150mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 120V | 140V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 140V | 160V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 1A | 1A |
Высота | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 3mm | 3mm |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) - annealed |