FMMT494TA Альтернативные части: FMMT493TA ,FMMT455TA

FMMT494TADiodes Incorporated

В наличии: 1158

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.756731 ₽
10.71 ₽
10
10.147857 ₽
101.51 ₽
100
9.573448 ₽
957.28 ₽
500
9.031552 ₽
4,515.80 ₽
1000
8.520343 ₽
8,520.33 ₽

Цена за единицу: 10.756731 ₽

Итоговая цена: 10.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMMT494TA	иFMMT493TA	иFMMT455TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	TRANS NPN 140V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	120V	100V	140V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2006	2012	2006
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	120V	60V	140V
Максимальная потеря мощности	500mW	500mW	500mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	1A	2A
Частота	100MHz	150MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	FMMT494	FMMT493	FMMT455
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	500mW	500mW	500mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	100MHz	150MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	120V	100V	140V
Максимальный ток сбора	1A	1A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 250mA 10V	100 @ 250mA 10V	100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	100nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 50mA, 500mA	600mV @ 100mA, 1A	700mV @ 15mA, 150mA
Частота перехода	100MHz	150MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	120V	100V	140V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	140V	120V	160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	1A	1A	1A
Высота	1.1mm	1.1mm	1.1mm
Длина	3mm	3mm	3mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	100	-
Завершение	-	SMD/SMT	-
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
Напряжение	-	100V	-
Текущий	-	1A	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT455TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 140V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT495TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 150V 1A SOT23-3	Для сравнения
FJV1845PMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения