FMMT493TA Альтернативные части: FMMT494TA ,MMBTA06

FMMT493TADiodes Incorporated

  • FMMT493TADiodes Incorporated
  • FMMT494TADiodes Incorporated
  • MMBTA06ON Semiconductor

В наличии: 6622

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.182692 ₽

    5.22 ₽

  • 10

    4.889327 ₽

    48.90 ₽

  • 100

    4.612582 ₽

    461.26 ₽

  • 500

    4.351484 ₽

    2,175.69 ₽

  • 1000

    4.105179 ₽

    4,105.22 ₽

Цена за единицу: 5.182692 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
TRANS NPN 120V 1A SOT23-3
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
120V
80V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
-
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2006
2000
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Завершение
SMD/SMT
-
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
120V
80V
Максимальная потеря мощности
500mW
500mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
1A
100mA
500mA
Частота
150MHz
100MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
FMMT493
FMMT494
MMBTA06
Напряжение
100V
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Текущий
1A
-
-
Распад мощности
500mW
500mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
150MHz
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
120V
80V
Максимальный ток сбора
1A
1A
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 250mA 10V
100 @ 250mA 10V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
300mV @ 50mA, 500mA
250mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
150MHz
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
120V
80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
120V
140V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
7V
4V
Прямоходящий ток коллектора
1A
1A
-
Высота
1.1mm
1.1mm
1.2mm
Длина
3mm
3mm
6.35mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
6.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Поставщик упаковки устройства
-
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
500mA
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Направленность
-
-
NPN
Мощность - Макс
-
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
80V
Максимальная частота
-
-
100MHz
Частота - Переход
-
-
100MHz
Максимальная температура перехода (Тj)
-
-
150°C