FMMT493TA Альтернативные части: FMMT634TA

FMMT493TADiodes Incorporated

  • FMMT493TADiodes Incorporated
  • FMMT634TADiodes Incorporated

В наличии: 6622

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.182692 ₽

    5.22 ₽

  • 10

    4.889327 ₽

    48.90 ₽

  • 100

    4.612582 ₽

    461.26 ₽

  • 500

    4.351484 ₽

    2,175.69 ₽

  • 1000

    4.105179 ₽

    4,105.22 ₽

Цена за единицу: 5.182692 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
100V
115V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2012
2006
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
Matte Tin (Sn) - annealed
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
100V
Максимальная потеря мощности
500mW
625mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
1A
900mA
Частота
150MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
FMMT493
FMMT634
Напряжение
100V
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Текущий
1A
-
Распад мощности
500mW
625mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
150MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
Максимальный ток сбора
1A
900mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 250mA 10V
20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
960mV @ 5mA, 1A
Частота перехода
150MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
120V
120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
12V
Прямоходящий ток коллектора
1A
900mA
Высота
1.1mm
1.1mm
Длина
3mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Число контактов
-
3
Направленность
-
NPN
Частота - Переход
-
140MHz
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C