FMMT455TA Альтернативные части: FMMT495TA ,MMBT5551

FMMT455TADiodes Incorporated

  • FMMT455TADiodes Incorporated
  • FMMT495TADiodes Incorporated
  • MMBT5551ON Semiconductor

В наличии: 440

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.954121 ₽

    8.93 ₽

  • 10

    8.447280 ₽

    84.48 ₽

  • 100

    7.969135 ₽

    796.98 ₽

  • 500

    7.518049 ₽

    3,759.07 ₽

  • 1000

    7.092500 ₽

    7,092.45 ₽

Цена за единицу: 8.954121 ₽

Итоговая цена: 8.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 140V 1A SOT23-3
TRANS NPN 150V 1A SOT23-3
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
31 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
140V
150V
160V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2013
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
140V
150V
160V
Максимальная потеря мощности
500mW
500mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
2A
1A
600mA
Частота
100MHz
100MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
FMMT455
FMMT495
MMBT5551
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
500mW
500mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
140V
150V
160V
Максимальный ток сбора
1A
1A
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
10 @ 250mA 10V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 15mA, 150mA
300mV @ 50mA, 500mA
200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
140V
150V
160V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
160V
170V
180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
7V
6V
Прямоходящий ток коллектора
1A
1A
-
Высота
1.1mm
1.1mm
1.2mm
Длина
3mm
3mm
2.92mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Минимальная частота работы в герцах
-
100
80
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
150°C
Поставщик упаковки устройства
-
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
600mA
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Направленность
-
-
NPN
Мощность - Макс
-
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
160V
Максимальная частота
-
-
300MHz
Частота - Переход
-
-
100MHz