FMMT455TA Альтернативные части: FMMT494TA

FMMT455TADiodes Incorporated

В наличии: 440

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.954121 ₽
8.93 ₽
10
8.447280 ₽
84.48 ₽
100
7.969135 ₽
796.98 ₽
500
7.518049 ₽
3,759.07 ₽
1000
7.092500 ₽
7,092.45 ₽

Цена за единицу: 8.954121 ₽

Итоговая цена: 8.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMMT455TA	иFMMT494TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 140V 1A SOT23-3	TRANS NPN 120V 1A SOT23-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	140V	120V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2006	2006
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	140V	120V
Максимальная потеря мощности	500mW	500mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	2A	100mA
Частота	100MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	FMMT455	FMMT494
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	500mW	500mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	140V	120V
Максимальный ток сбора	1A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 10V	100 @ 250mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	700mV @ 15mA, 150mA	300mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	140V	120V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	160V	140V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	7V
Прямоходящий ток коллектора	1A	1A
Высота	1.1mm	1.1mm
Длина	3mm	3mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMMT493TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 100V 1A SOT23-3	Для сравнения
FMMT495TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 150V 1A SOT23-3	Для сравнения
MMBT5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23	Для сравнения
FMMT494TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	Для сравнения