FMBM5551 Альтернативные части: QSX8TR ,FMB5551

FMBM5551ON Semiconductor

В наличии: 7693

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
65.242637 ₽
65.25 ₽
10
61.549615 ₽
615.52 ₽
100
58.065755 ₽
5,806.59 ₽
500
54.778970 ₽
27,389.42 ₽
1000
51.678310 ₽
51,678.30 ₽

Цена за единицу: 65.242637 ₽

Итоговая цена: 65.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMBM5551	иQSX8TR	иFMB5551
Производитель:	ON Semiconductor	ROHM Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	6 Weeks	20 Weeks	4 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	-	36mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	160V	30V	160V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	270	80
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2004	2004
Код JESD-609	e3	e1	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	160V	-	160V
Максимальная потеря мощности	700mW	1.25W	700mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260	-
Моментальный ток	600mA	-	600mA
Частота	300MHz	-	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	10	-
Основной номер части	FMBM5551	QSX	FMB5551
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	-	700mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	300MHz	320MHz	300MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	160V	30V	160V
Максимальный ток сбора	600mA	1A	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	270 @ 100mA 2V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	100nA ICBO	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	350mV @ 25mA, 500mA	200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	100MHz	320MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	160V	30V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	30V	180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
Высота	1.12mm	-	1.12mm
Длина	3mm	-	3mm
Ширина	1.68mm	-	1.68mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Число контактов	-	6	-
Прямоходящий ток коллектора	-	1A	-
Корпусировка на излучение	-	No	No
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMB2227A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6	Для сравнения
QSX8TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Для сравнения
FMB5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения