Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMBM5551 Альтернативные части: QSX8TR
FMBM5551ON Semiconductor
В наличии: 7693
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
65.242637 ₽
65.25 ₽
10
61.549615 ₽
615.52 ₽
100
58.065755 ₽
5,806.59 ₽
500
54.778970 ₽
27,389.42 ₽
1000
51.678310 ₽
51,678.30 ₽
Цена за единицу: 65.242637 ₽
Итоговая цена: 65.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier | TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 20 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 36mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 160V | 30V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 270 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 160V | - |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 1.25W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Моментальный ток | 600mA | - |
Частота | 300MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 10 |
Основной номер части | FMBM5551 | QSX |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 320MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 160V | 30V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 1A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 270 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | 350mV @ 25mA, 500mA |
Частота перехода | 100MHz | 320MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 160V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Высота | 1.12mm | - |
Длина | 3mm | - |
Ширина | 1.68mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Число контактов | - | 6 |
Прямоходящий ток коллектора | - | 1A |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FMB2227A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6 | Для сравнения |
 | QSX8TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT | Для сравнения |
| FMB5551 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB2222A...- | Для сравнения |