FMBM5551 Альтернативные части: FMB5551 ,FMB2222A

FMBM5551ON Semiconductor

В наличии: 7693

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
65.242637 ₽
65.25 ₽
10
61.549615 ₽
615.52 ₽
100
58.065755 ₽
5,806.59 ₽
500
54.778970 ₽
27,389.42 ₽
1000
51.678310 ₽
51,678.30 ₽

Цена за единицу: 65.242637 ₽

Итоговая цена: 65.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMBM5551	иFMB5551	иFMB2222A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	FMB2222A...-
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	6 Weeks	4 Weeks	6 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	36mg	36mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	160V	160V	40V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	80	100
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2004	2000
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	160V	160V	40V
Максимальная потеря мощности	700mW	700mW	700mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Моментальный ток	600mA	600mA	500mA
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Основной номер части	FMBM5551	FMB5551	FMB2222
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	700mW	700mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	160V	160V	40V
Максимальный ток сбора	600mA	600mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	50nA ICBO	10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	200mV @ 5mA, 50mA	1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	160V	-	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	180V	75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	5V
Высота	1.12mm	1.12mm	1mm
Длина	3mm	3mm	3mm
Ширина	1.68mm	1.68mm	1.7mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Корпусировка на излучение	-	No	No
Завершение	-	-	SMD/SMT
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMB2227A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6	Для сравнения
QSX8TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Для сравнения
FMB5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения