FMBA06 Альтернативные части: MMDTA06-7 ,FMB100

FMBA06ON Semiconductor

  • FMBA06ON Semiconductor
  • MMDTA06-7Diodes Incorporated
  • FMB100ON Semiconductor

В наличии: 12099

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    73.877692 ₽

    73.90 ₽

  • 10

    69.695920 ₽

    696.98 ₽

  • 100

    65.750852 ₽

    6,575.14 ₽

  • 500

    62.029148 ₽

    31,014.56 ₽

  • 1000

    58.518036 ₽

    58,517.99 ₽

Цена за единицу: 73.877692 ₽

Итоговая цена: 73.90 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
4 Weeks
15 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
36mg
-
36mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
80V
80V
45V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
-
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
80V
-
45V
Максимальная потеря мощности
700mW
1.28W
700mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
-
500mA
Частота
100MHz
-
300MHz
Основной номер части
FMBA06
MMDTA06
FMB100
Направленность
NPN
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
-
700mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
100MHz
163MHz
300MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
80V
80V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
100 @ 10mA 1V
100 @ 150mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
400mV @ 20mA, 200mA
Частота перехода
100MHz
163MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
80V
80V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
80V
80V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
4V
6V
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Опубликовано
-
2013
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
6
-
Мощность - Макс
-
900mW
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Полярность/Тип канала
-
-
NPN