Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMBA06 Альтернативные части: FMB2222A
FMBA06ON Semiconductor
В наличии: 12099
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
73.877692 ₽
73.90 ₽
10
69.695920 ₽
696.98 ₽
100
65.750852 ₽
6,575.14 ₽
500
62.029148 ₽
31,014.56 ₽
1000
58.518036 ₽
58,517.99 ₽
Цена за единицу: 73.877692 ₽
Итоговая цена: 73.90 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose | FMB2222A...- |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 36mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 80V | 40V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 80V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 700mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Частота | 100MHz | 300MHz |
Основной номер части | FMBA06 | FMB2222 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | 700mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 300MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 80V | 40V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 100mA 1V | 100 @ 150mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 10nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | 1V @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 100MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 80V | 40V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 80V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 5V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2000 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 3mm |
Ширина | - | 1.7mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMDTA06-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26 | Для сравнения |
 | FMB100 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB3946 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB2222A...- | Для сравнения |