FMBA06 Альтернативные части: FMB2222A ,MMDTA06-7

FMBA06ON Semiconductor

В наличии: 12099

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
73.877692 ₽
73.90 ₽
10
69.695920 ₽
696.98 ₽
100
65.750852 ₽
6,575.14 ₽
500
62.029148 ₽
31,014.56 ₽
1000
58.518036 ₽
58,517.99 ₽

Цена за единицу: 73.877692 ₽

Итоговая цена: 73.90 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMBA06	иFMB2222A	иMMDTA06-7
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose	FMB2222A...-	TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	-
Срок поставки от производителя	4 Weeks	6 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	36mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	80V	40V	80V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	100	100	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	80V	40V	-
Максимальная потеря мощности	700mW	700mW	1.28W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	500mA	500mA	-
Частота	100MHz	300MHz	-
Основной номер части	FMBA06	FMB2222	MMDTA06
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	700mW	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	100MHz	300MHz	163MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	80V	40V	80V
Максимальный ток сбора	500mA	500mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 100mA 1V	100 @ 150mA 10V	100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	10nA ICBO	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA	1V @ 50mA, 500mA	250mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	300MHz	163MHz
Максимальное напряжение разрушения	80V	40V	80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	80V	75V	80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4V	5V	4V
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	2000	2013
Завершение	-	SMD/SMT	-
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Высота	-	1mm	-
Длина	-	3mm	-
Ширина	-	1.7mm	-
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Число контактов	-	-	6
Мощность - Макс	-	-	900mW

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMDTA06-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26	Для сравнения
FMB100	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB3946	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения