FMB5551 Альтернативные части: QSX8TR ,FMB100

FMB5551ON Semiconductor

В наличии: 1762

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.256374 ₽
41.21 ₽
10
38.921071 ₽
389.15 ₽
100
36.717981 ₽
3,671.84 ₽
500
34.639615 ₽
17,319.78 ₽
1000
32.678887 ₽
32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMB5551	иQSX8TR	иFMB100
Производитель:	ON Semiconductor	ROHM Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	20 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	-	36mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	160V	30V	45V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	270	100
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004	-
Код JESD-609	e3	e1	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	160V	-	45V
Максимальная потеря мощности	700mW	1.25W	700mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	600mA	-	500mA
Частота	300MHz	-	300MHz
Основной номер части	FMB5551	QSX	FMB100
Направленность	NPN	NPN	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	-	700mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	300MHz	320MHz	300MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	160V	30V	45V
Максимальный ток сбора	600mA	1A	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	270 @ 100mA 2V	100 @ 150mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	100nA ICBO	50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	350mV @ 25mA, 500mA	400mV @ 20mA, 200mA
Частота перехода	100MHz	320MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	30V	75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
Высота	1.12mm	-	-
Длина	3mm	-	-
Ширина	1.68mm	-	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	10	-
Число контактов	-	6	-
Максимальное напряжение разрушения	-	30V	45V
Прямоходящий ток коллектора	-	1A	-
Полярность/Тип канала	-	-	NPN

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMBM5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier	Для сравнения
QSX8TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Для сравнения
FMB100	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения