Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMB5551 Альтернативные части: FMB100
FMB5551ON Semiconductor
В наличии: 1762
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.256374 ₽
41.21 ₽
10
38.921071 ₽
389.15 ₽
100
36.717981 ₽
3,671.84 ₽
500
34.639615 ₽
17,319.78 ₽
1000
32.678887 ₽
32,678.85 ₽
Цена за единицу: 41.256374 ₽
Итоговая цена: 41.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 36mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 160V | 45V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 100 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 160V | 45V |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 700mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 600mA | 500mA |
Частота | 300MHz | 300MHz |
Основной номер части | FMB5551 | FMB100 |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | 700mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 300MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 160V | 45V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 100 @ 150mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 50nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | 400mV @ 20mA, 200mA |
Частота перехода | 100MHz | 300MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Высота | 1.12mm | - |
Длина | 3mm | - |
Ширина | 1.68mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Максимальное напряжение разрушения | - | 45V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FMBM5551 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier | Для сравнения |
 | QSX8TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT | Для сравнения |
| FMB100 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB2222A...- | Для сравнения |