FMB5551 Альтернативные части: FMB2222A ,FMBM5551

FMB5551ON Semiconductor

В наличии: 1762

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.256374 ₽
41.21 ₽
10
38.921071 ₽
389.15 ₽
100
36.717981 ₽
3,671.84 ₽
500
34.639615 ₽
17,319.78 ₽
1000
32.678887 ₽
32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMB5551	иFMB2222A	иFMBM5551
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	FMB2222A...-	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	6 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	36mg	36mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	160V	40V	160V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	100	80
Рабочая температура	150°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2000	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	160V	40V	160V
Максимальная потеря мощности	700mW	700mW	700mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	600mA	500mA	600mA
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	FMB5551	FMB2222	FMBM5551
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	700mW	700mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	160V	40V	160V
Максимальный ток сбора	600mA	500mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	100 @ 150mA 10V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	10nA ICBO	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	1V @ 50mA, 500mA	200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	100MHz	300MHz	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	75V	180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V	6V
Высота	1.12mm	1mm	1.12mm
Длина	3mm	3mm	3mm
Ширина	1.68mm	1.7mm	1.68mm
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	-
Максимальное напряжение разрушения	-	40V	160V
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Покрытие контактов	-	-	Tin
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMBM5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier	Для сравнения
QSX8TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Для сравнения
FMB100	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения