FMB5551 Альтернативные части: FMB100 ,FMB2222A

FMB5551ON Semiconductor

В наличии: 1762

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.256374 ₽
41.21 ₽
10
38.921071 ₽
389.15 ₽
100
36.717981 ₽
3,671.84 ₽
500
34.639615 ₽
17,319.78 ₽
1000
32.678887 ₽
32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFMB5551	иFMB100	иFMB2222A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R	FMB2222A...-
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	-	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	36mg	36mg	36mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	160V	45V	40V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	100	100
Рабочая температура	150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	-	2000
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	160V	45V	40V
Максимальная потеря мощности	700mW	700mW	700mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	600mA	500mA	500mA
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	FMB5551	FMB100	FMB2222
Направленность	NPN	-	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	700mW	700mW	700mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	NPN	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	160V	45V	40V
Максимальный ток сбора	600mA	500mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	100 @ 150mA 5V	100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	50nA	10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 20mA, 200mA	1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода	100MHz	300MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	180V	75V	75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	5V
Высота	1.12mm	-	1mm
Длина	3mm	-	3mm
Ширина	1.68mm	-	1.7mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Полярность/Тип канала	-	NPN	-
Максимальное напряжение разрушения	-	45V	40V
Завершение	-	-	SMD/SMT
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FMBM5551	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier	Для сравнения
QSX8TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT	Для сравнения
FMB100	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FMB2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FMB2222A...-	Для сравнения