FMB2227A Альтернативные части: FMB2222A ,FMBM5401

FMB2227AON Semiconductor

  • FMB2227AON Semiconductor
  • FMB2222AON Semiconductor
  • FMBM5401ON Semiconductor

В наличии: 2114

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    48.931978 ₽

    48.90 ₽

  • 10

    46.162239 ₽

    461.68 ₽

  • 100

    43.549272 ₽

    4,354.95 ₽

  • 500

    41.084245 ₽

    20,542.17 ₽

  • 1000

    38.758736 ₽

    38,758.79 ₽

Цена за единицу: 48.931978 ₽

Итоговая цена: 48.90 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6
FMB2222A...-
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
4 Weeks
6 Weeks
4 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
36mg
36mg
36mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
40V
150V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
75
100
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
700mW
700mW
700mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
-600mA
Частота
250MHz
300MHz
300MHz
Основной номер части
FMB2227
FMB2222
FMBM5401
Направленность
NPN, PNP
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
700mW
700mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN, PNP
2 NPN (Dual)
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
40V
150V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 300mA 10V
100 @ 150mA 10V
60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
30nA ICBO
10nA ICBO
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.4V @ 30mA, 300mA
1V @ 50mA, 500mA
500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
250MHz
300MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
40V
150V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
75V
-160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-5V
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Опубликовано
-
2000
2005
Завершение
-
SMD/SMT
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
40V
-150V
Высота
-
1mm
1.12mm
Длина
-
3mm
3mm
Ширина
-
1.7mm
1.68mm
Покрытие контактов
-
-
Tin
Полярность/Тип канала
-
-
PNP