Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMB2227A Альтернативные части: FMB5551
FMB2227AON Semiconductor
В наличии: 2114
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
48.931978 ₽
48.90 ₽
10
46.162239 ₽
461.68 ₽
100
43.549272 ₽
4,354.95 ₽
500
41.084245 ₽
20,542.17 ₽
1000
38.758736 ₽
38,758.79 ₽
Цена за единицу: 48.931978 ₽
Итоговая цена: 48.90 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 4 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 36mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 160V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 75 | 80 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 700mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 600mA |
Частота | 250MHz | 300MHz |
Основной номер части | FMB2227 | FMB5551 |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | 700mW |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 250MHz | 300MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 160V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 300mA 10V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 30nA ICBO | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.4V @ 30mA, 300mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 250MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 180V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2004 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 160V |
Высота | - | 1.12mm |
Длина | - | 3mm |
Ширина | - | 1.68mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FMBM5401 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier | Для сравнения |
 | MMSTA14T146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-6 | TRANS NPN 30V 0.5A | Для сравнения |
| FMB5551 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB2222A...- | Для сравнения |