Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FJX4008RTF Альтернативные части: FJX4006RTF ,DTA123YUAT106
FJX4008RTFON Semiconductor
В наличии: 24000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.957308 ₽
10.99 ₽
500
8.056896 ₽
4,028.43 ₽
1000
6.714038 ₽
6,714.01 ₽
2000
6.159670 ₽
12,319.37 ₽
5000
5.756703 ₽
28,783.52 ₽
10000
5.355082 ₽
53,550.82 ₽
15000
5.179025 ₽
77,685.44 ₽
50000
5.092376 ₽
254,618.82 ₽
Цена за единицу: 10.957308 ₽
Итоговая цена: 10.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SC-70 (SOT323) | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - | - |
Минимальная частота работы в герцах | 56 | 68 | 33 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | -100mA |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Мощность - Макс | 200mW | - | - |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 5mA 5V | 68 @ 5mA 5V | 33 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Частота - Переход | 200MHz | 200MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | -10V | - |
База (R1) | 47 kOhms | 10 k Ω | 2.2 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22 kOhms | 47 k Ω | 10 k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | - | 36 Weeks | 10 Weeks |
Вес | - | 30mg | - |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.75 |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | - | FJX4006 | DTA123 |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Частота перехода | - | 200MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | -50V | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Опубликовано | - | - | 2006 |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 10 |
Число контактов | - | - | 3 |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA123EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
 | FJX4006RTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | Для сравнения |
| DTA123YUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| FJX4003RTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R | Для сравнения |