FJX4008RTF Альтернативные части: DTA123YUAT106

FJX4008RTFON Semiconductor

  • FJX4008RTFON Semiconductor
  • DTA123YUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 24000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.957308 ₽

    10.99 ₽

  • 500

    8.056896 ₽

    4,028.43 ₽

  • 1000

    6.714038 ₽

    6,714.01 ₽

  • 2000

    6.159670 ₽

    12,319.37 ₽

  • 5000

    5.756703 ₽

    28,783.52 ₽

  • 10000

    5.355082 ₽

    53,550.82 ₽

  • 15000

    5.179025 ₽

    77,685.44 ₽

  • 50000

    5.092376 ₽

    254,618.82 ₽

Цена за единицу: 10.957308 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SC-70 (SOT323)
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
100mA
-
Минимальная частота работы в герцах
56
33
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Моментальный ток
-100mA
-100mA
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Мощность - Макс
200mW
-
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
56 @ 5mA 5V
33 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
50V
-
Частота - Переход
200MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-10V
-
База (R1)
47 kOhms
2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 kOhms
10 k Ω
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
10 Weeks
Количество элементов
-
1
Опубликовано
-
2006
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Основной номер части
-
DTA123
Число контактов
-
3
Максимальный выходной ток
-
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
Применение транзистора
-
SWITCHING
Частота перехода
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No