FJX3007RTF Альтернативные части: FJX3008RTF

FJX3007RTFON Semiconductor

В наличии: 417000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFJX3007RTF	иFJX3008RTF
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Transistors Switching - Resistor Biased NPN Si Transistor Epitaxial	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
Состояние жизненного цикла	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)	LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя	2 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	30mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	68	56
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Код ТН ВЭД	8541.21.00.95	8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Основной номер части	FJX3007	FJX3008
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	56 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	10V
База (R1)	22 k Ω	47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47 k Ω	22 k Ω
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.46
Высота	-	1mm
Длина	-	2mm
Ширина	-	1.25mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC846BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
BC847CW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3	Для сравнения
FJX3003RTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
FJX3008RTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R	Для сравнения