FJX3007RTF Альтернативные части: BC847CW-7-F

FJX3007RTFON Semiconductor

  • FJX3007RTFON Semiconductor
  • BC847CW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 417000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Transistors Switching - Resistor Biased NPN Si Transistor Epitaxial
TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
-
Срок поставки от производителя
2 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
68
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
45V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
Основной номер части
FJX3007
BC847
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
250MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
45V
Частота - Переход
250MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10V
6V
База (R1)
22 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Рабочая температура
-
-65°C~150°C TJ
Опубликовано
-
2007
Частота
-
300MHz
Число контактов
-
3
Продуктивность полосы частот
-
300MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
Высота
-
1mm
Длина
-
2.2mm
Ширина
-
1.35mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No