FJX3007RTFON Semiconductor
В наличии: 417000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Transistors Switching - Resistor Biased NPN Si Transistor Epitaxial | TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 45V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Основной номер части | FJX3007 | BC847 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 45V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V | 420 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 45V |
Частота - Переход | 250MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 6V |
База (R1) | 22 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Рабочая температура | - | -65°C~150°C TJ |
Опубликовано | - | 2007 |
Частота | - | 300MHz |
Число контактов | - | 3 |
Продуктивность полосы частот | - | 300MHz |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2.2mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |