FJL4315OTU Альтернативные части: 2SA1943OTU ,2SC5200OTU

FJL4315OTUON Semiconductor

В наличии: 4175

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
482.603626 ₽
482.55 ₽
10
455.286442 ₽
4,552.88 ₽
100
429.515495 ₽
42,951.51 ₽
500
405.203310 ₽
202,601.65 ₽
1000
382.267266 ₽
382,267.31 ₽

Цена за единицу: 482.603626 ₽

Итоговая цена: 482.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFJL4315OTU	и2SA1943OTU	и2SC5200OTU
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial	Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	2 Weeks	2 Weeks	2 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.756g	6.756g	6.756g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Производитель идентификатор упаковки	TO264A03REV2	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	250V	250V	250V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	55	55	55
Рабочая температура	-50°C~150°C TJ	-50°C~150°C TJ	-50°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2005	2005	2005
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	230V	-	-
Максимальная потеря мощности	150W	150W	150W
Моментальный ток	15A	-	-
Частота	30MHz	30MHz	30MHz
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	150W	150W	150W
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	30MHz	30MHz	30MHz
Полярность/Тип канала	NPN	PNP	NPN
Тип транзистора	NPN	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	250V	250V	250V
Максимальный ток сбора	17A	17A	17A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 1A 5V	80 @ 1A 5V	80 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	5μA ICBO	5μA ICBO	5μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A	3V @ 800mA, 8A	3V @ 800mA, 8A
Частота перехода	30MHz	30MHz	30MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	250V	-250V	250V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	-5V	5V
Высота	26mm	26mm	-
Длина	20mm	20mm	-
Ширина	5mm	5mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	Tin
Основной номер части	-	2SA1943	2SC5200

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SA1943OTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Для сравнения
2SC5200OTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Для сравнения
2SC5200RTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	TRANS NPN 250V 17A TO264	Для сравнения