Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FJL4315OTU Альтернативные части: 2SC5200OTU
FJL4315OTUON Semiconductor
В наличии: 4175
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
482.603626 ₽
482.55 ₽
10
455.286442 ₽
4,552.88 ₽
100
429.515495 ₽
42,951.51 ₽
500
405.203310 ₽
202,601.65 ₽
1000
382.267266 ₽
382,267.31 ₽
Цена за единицу: 482.603626 ₽
Итоговая цена: 482.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 2 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.756g | 6.756g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Производитель идентификатор упаковки | TO264A03REV2 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 250V | 250V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 55 | 55 |
Рабочая температура | -50°C~150°C TJ | -50°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2005 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 230V | - |
Максимальная потеря мощности | 150W | 150W |
Моментальный ток | 15A | - |
Частота | 30MHz | 30MHz |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 150W | 150W |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 30MHz | 30MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 250V | 250V |
Максимальный ток сбора | 17A | 17A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 1A 5V | 80 @ 1A 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 5μA ICBO | 5μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | 3V @ 800mA, 8A |
Частота перехода | 30MHz | 30MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 250V | 250V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 26mm | - |
Длина | 20mm | - |
Ширина | 5mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Основной номер части | - | 2SC5200 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1943OTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Для сравнения |
| 2SC5200OTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Для сравнения |
| 2SC5200RTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | TRANS NPN 250V 17A TO264 | Для сравнения |