FGH75T65UPD-F085 Альтернативные части: FGH75T65SHD-F155 ,FGH75T65SHDT-F155

FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor

  • FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
  • FGH75T65SHD-F155ON Semiconductor
  • FGH75T65SHDT-F155ON Semiconductor

В наличии: 305

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    852.951538 ₽

    852.88 ₽

  • 10

    804.671223 ₽

    8,046.70 ₽

  • 100

    759.123805 ₽

    75,912.36 ₽

  • 500

    716.154519 ₽

    358,077.20 ₽

  • 1000

    675.617541 ₽

    675,617.58 ₽

Цена за единицу: 852.951538 ₽

Итоговая цена: 852.88 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
FGH75T65 Series 650 V 75 A Through Hole Field Stop Trench IGBT - TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
6.39g
6.39g
6.39g
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
650V
650V
650V
Количество элементов
1
1
-
Условия испытания
400V, 75A, 3 Ω, 15V
400V, 75A, 3 Ω, 15V
400V, 75A, 3 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
-
Код JESD-609
e3
-
-
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
-
Максимальная потеря мощности
375W
455W
455W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
not_compliant
not_compliant
not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Время подъёма макс
71ns
-
-
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Сокетная связка
COLLECTOR
-
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
375W
455W
455W
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
-
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
650V
2.1V
2.1V
Максимальный ток сбора
150A
150A
150A
Время обратной рекомпенсации
85 ns
43.4 ns
76 ns
Код JEDEC-95
TO-247AB
TO-247AB
-
Время включения
87 ns
84.8 ns
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 75A
2.1V @ 15V, 75A
2.1V @ 15V, 75A
Время выключения (toff)
197 ns
100 ns
-
Тип ИGBT
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Зарядная мощность
578nC
123nC
123nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
225A
225A
225A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
32ns/166ns
28ns/80ns
28ns/86ns
Переключаемый энергопотребление
2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
2.4mJ (on), 720μJ (off)
3mJ (on), 750μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
-
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
7.5V
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
-
4 Weeks
7 Weeks
Код ECCN
-
EAR99
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Положение терминала
-
SINGLE
-
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
-
Конфигурация
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
-