Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH75T65UPD-F085 Альтернативные части: FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
В наличии: 305
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
852.951538 ₽
852.88 ₽
10
804.671223 ₽
8,046.70 ₽
100
759.123805 ₽
75,912.36 ₽
500
716.154519 ₽
358,077.20 ₽
1000
675.617541 ₽
675,617.58 ₽
Цена за единицу: 852.951538 ₽
Итоговая цена: 852.88 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 650V 150A 375W TO-247AB | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.39g | 6.39g |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 400V, 75A, 3 Ω, 15V | 400V, 75A, 3 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 375W | 455W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время подъёма макс | 71ns | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 375W | 455W |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 150A | 150A |
Время обратной рекомпенсации | 85 ns | 76 ns |
Код JEDEC-95 | TO-247AB | - |
Время включения | 87 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A | 2.1V @ 15V, 75A |
Время выключения (toff) | 197 ns | - |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 578nC | 123nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 225A | 225A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 32ns/166ns | 28ns/86ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) | 3mJ (on), 750μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 7.5V | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | - | 7 Weeks |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH75T65SHDT-F155 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | FGY75N60SMD | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | Для сравнения |
 | STGWA80H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | FGH75T65 Series 650 V 75 A Through Hole Field Stop Trench IGBT - TO-247-3 | Для сравнения |