FFB2227A Альтернативные части: MMBT2132T3 ,2SA1577T106R

FFB2227AON Semiconductor

  • FFB2227AON Semiconductor
  • MMBT2132T3ON Semiconductor
  • 2SA1577T106RROHM Semiconductor

В наличии: 2793

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    89.228901 ₽

    89.29 ₽

  • 10

    84.178159 ₽

    841.76 ₽

  • 100

    79.413434 ₽

    7,941.35 ₽

  • 500

    74.918310 ₽

    37,459.20 ₽

  • 1000

    70.677637 ₽

    70,677.61 ₽

Цена за единицу: 89.228901 ₽

Итоговая цена: 89.29 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6
TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6
TRANS PNP 32V 0.5A SOT-323
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
7 Weeks
-
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-74, SOT-457
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
6
3
Вес
28mg
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
32V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
150
82
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2006
2004
Код JESD-609
e3
e0
e1
Безоловая кодировка
yes
no
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin/Lead (Sn/Pb)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная потеря мощности
300mW
342mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
700mA
-500mA
Частота
250MHz
-
-
Основной номер части
FFB2227A
-
2SA1577
Направленность
NPN, PNP
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Распад мощности
300mW
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
250MHz
-
200MHz
Тип транзистора
NPN, PNP
NPN
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
400mV
600mV
Максимальный ток сбора
500mA
700mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 300mA 10V
150 @ 100mA 3V
120 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
30nA ICBO
1μA ICBO
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.4V @ 30mA, 300mA
400mV @ 70mA, 700mA
600mV @ 30mA, 300mA
Частота перехода
250MHz
-
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
40V
-40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Высота
1.1mm
-
-
Длина
2mm
-
-
Ширина
1.25mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
30V
-32V
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
240
260
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
30
10
Число контактов
-
6
3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
PNP
Покрытие контактов
-
-
Copper, Silver, Tin
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Мощность - Макс
-
-
200mW
Прямоходящий ток коллектора
-
-
-500mA
Максимальное напряжение на выходе
-
-
0.4 V